首页 综合资讯市场动态企业动态人物聚焦国际市场科技资讯生活消费品牌之声
当前位置:首页 > 企业动态 > 列表

年产内存3000万条 我国一个重要存储芯片项目年底投产

时间:2021-07-09 14:10:57   来源:网络整理   责编:互联网
【新】大咖热评:终于等到这个位置!该不该上车?两类产业值得关注,查看>>

今年底我国又要建成一条重要的存储芯片生产线了,据报道深科技(000021,股吧)子公司合肥沛顿存储科技有限公司一期项目圆满封顶,预计年底投产,主要从事内存及闪存芯片封测。

按照建设规划,合肥沛顿存储项目将于今年9月底完成全部建设任务,10月初进驻生产设备,力争于今年年底实现投产并形成有效产能。

项目达产后,预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力,预计可实现年营收28亿元左右。

根据深科技沛顿与国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、合肥经开产业投促创业投资基金合伙企业(有限合伙)、中电聚芯一号(天津)企业管理合伙企业(有限合伙)签署的《投资协议》,深科技沛顿存储各方股东已于2020年11月出资40000.00万元,其中深科技沛顿首期出资22352.00万元已按约定支付完毕。

各方股东将同步进行第二期出资,深科技沛顿出资148,648.00万元,其中募集资金146165.28万元,自有资金2482.72万元。

- THE END -

转载请注明出处:快科技

#内存#内存颗粒

声明:家居世界网http://www.jjgod.cn 刊载此文仅作传播之目的,不代表本站观点。

61.8K

Copyright @ 2012-2020 http://www.jjgod.cn, All Rights Reserved 版权所有: 京ICP备09002323号
欢迎广大网友来本网站投稿,网站内容来自于互联网或网友提供
回到顶部